CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。

目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）

摻雜后退火時(shí)間一般在（）。

進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

碳納米管場(chǎng)效應(yīng)晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢(shì)之一。

刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時(shí)就會(huì)形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。

摻雜后，退火的目的是（）。

下面哪個(gè)選項(xiàng)不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。