刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。

光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

新的平坦化方法有哪幾個？（）

CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。

三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。

互連工藝中AL的制備可選用（）。

進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

化學(xué)機(jī)械拋光液的主要成分不包括的是哪個？（）

封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。