進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

CE定律發(fā)展面臨的問(wèn)題包括（）。

刻蝕過(guò)程中聚合物形成的來(lái)源有（）。

鳥嘴效應(yīng)造成的不良影響有（）。

厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。

刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來(lái)實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

碳納米管場(chǎng)效應(yīng)晶體管是未來(lái)晶體管發(fā)展趨勢(shì)之一。

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時(shí)就會(huì)形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。

三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無(wú)各種廢品。