濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）

當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時(shí)就會(huì)形成連續(xù)的非晶層，開(kāi)始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱(chēng)為（）。

光刻工藝對(duì)準(zhǔn)誤差包括（）。

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

金屬化中可選用的金屬材料有（）。

光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。

封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

鳥(niǎo)嘴效應(yīng)造成的不良影響有（）。