多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。

進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是（）。

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。

摻雜后退火時間一般在（）。

碳納米管場效應(yīng)晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。

鳥嘴效應(yīng)造成的不良影響有（）。

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。