常壓的硅外延方法有（）。

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

光刻工藝對準誤差包括（）。

刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

注入損傷與注入離子的以下哪個參數(shù)無關(guān)？（）

厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。

進行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

互連工藝中AL的制備可選用（）。