單項(xiàng)選擇題在IC芯片生長(zhǎng)中淺溝槽隔離技術(shù)STI逐漸取代了局部氧化LOCOS所制成的（）而成為相鄰電子元件的絕緣體
A.柵氧化層
B.溝槽
C.勢(shì)壘
D.場(chǎng)氧化層
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1.單項(xiàng)選擇題在生產(chǎn)過程中必須使用（）來完成淺溝槽隔離STI。
A.單晶硅刻蝕
B.多晶硅刻蝕
C.二氧化硅刻蝕
D.氮化硅刻蝕
2.單項(xiàng)選擇題在刻蝕二氧化硅過程中假如我們?cè)贑F4的（）內(nèi)加入適量的氫氣，能夠降低刻蝕的速率。
A.氣體
B.等離子體
C.固體
D.液體
3.單項(xiàng)選擇題在刻蝕（）過程中假如我們?cè)贑F5的等離子體內(nèi)加入適量的氧氣，能夠提高刻蝕的速率。
A.銅
B.鋁
C.金
D.二氧化硅
4.多項(xiàng)選擇題下列物質(zhì)的等離子體適合用以刻蝕鋁合金中硅的有（）。
A.CF4
B.BCl3
C.Cl2
D.F2
E.CHF3
5.單項(xiàng)選擇題為了避免（）在經(jīng)過氯化物等離子體刻蝕之后的殘留物使其發(fā)生腐蝕，必須在刻蝕完畢之后再增加一道工序來除去這些表面殘留物。
A.多晶硅
B.單晶硅
C.鋁硅銅合金
D.銅
最新試題
堅(jiān)膜烘焙在加熱平板上進(jìn)行，溫度控制在（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
敘述測(cè)試晶體管的方法？
題型：?jiǎn)柎痤}
最常用的砷化鎵的濕法刻蝕腐蝕液包括（）
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下列可能造成離子源沾污的因素是（）
題型：多項(xiàng)選擇題
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說明功能檢測(cè)工裝的制作原理？
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傳統(tǒng)的平坦化技術(shù)有（）
題型：多項(xiàng)選擇題
以下屬于刻蝕環(huán)節(jié)質(zhì)量要求的是（）
題型：多項(xiàng)選擇題