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在生產(chǎn)過(guò)程中必須使用()來(lái)完成淺溝槽隔離STI。
A.單晶硅刻蝕
B.多晶硅刻蝕
C.二氧化硅刻蝕
D.氮化硅刻蝕
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單項(xiàng)選擇題
在刻蝕二氧化硅過(guò)程中假如我們?cè)贑F
4
的()內(nèi)加入適量的氫氣,能夠降低刻蝕的速率。
A.氣體
B.等離子體
C.固體
D.液體
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在刻蝕()過(guò)程中假如我們?cè)贑F
5
的等離子體內(nèi)加入適量的氧氣,能夠提高刻蝕的速率。
A.銅
B.鋁
C.金
D.二氧化硅
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