單項選擇題在生產過程中必須使用（）來完成淺溝槽隔離STI。
A.單晶硅刻蝕
B.多晶硅刻蝕
C.二氧化硅刻蝕
D.氮化硅刻蝕
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1.單項選擇題在刻蝕二氧化硅過程中假如我們在CF4的（）內加入適量的氫氣，能夠降低刻蝕的速率。
A.氣體
B.等離子體
C.固體
D.液體
2.單項選擇題在刻蝕（）過程中假如我們在CF5的等離子體內加入適量的氧氣，能夠提高刻蝕的速率。
A.銅
B.鋁
C.金
D.二氧化硅
3.多項選擇題下列物質的等離子體適合用以刻蝕鋁合金中硅的有（）。
A.CF4
B.BCl3
C.Cl2
D.F2
E.CHF3
4.單項選擇題為了避免（）在經(jīng)過氯化物等離子體刻蝕之后的殘留物使其發(fā)生腐蝕，必須在刻蝕完畢之后再增加一道工序來除去這些表面殘留物。
A.多晶硅
B.單晶硅
C.鋁硅銅合金
D.銅
5.單項選擇題銅與氯形成的化合物揮發(fā)能力不好，因而銅的刻蝕無法以化學反應來進行，而必須施以（）。
A.等離子體刻蝕
B.反應離子刻蝕
C.濕法刻蝕
D.濺射刻蝕
最新試題
根據(jù)曝光模式，光制機的種類分為（）。
題型：多項選擇題
環(huán)境溫度的變化可影響硅片的涂膠均勻性，通常將環(huán)境溫度設定于（）。
題型：單項選擇題
利用高溫驅動雜質滲透進半導體內，此工序采用的設備是（）
題型：單項選擇題
以下是離子注入過程中的主要參數(shù)的是（）
題型：多項選擇題
下列哪些是進行光刻前的預處理的步驟？（）
題型：多項選擇題
（）可以通過帶電粒子在盛場作用下做運動把粒子進行篩選，挑選出唯一需要注入的離子。
題型：單項選擇題
在顯影過程中，對于正性抗蝕劑，顯影液的使用要求是（）。
題型：單項選擇題
鋁的電遷移可能導致的結果是（）
題型：多項選擇題
堅膜烘焙在加熱平板上進行，溫度控制在（）。
題型：單項選擇題
刻蝕的過程中，對刻蝕的要求是（）
題型：多項選擇題