單項選擇題

在生產(chǎn)過程中必須使用（）來完成淺溝槽隔離STI。

A.單晶硅刻蝕
B.多晶硅刻蝕
C.二氧化硅刻蝕
D.氮化硅刻蝕

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單項選擇題

在刻蝕二氧化硅過程中假如我們在CF₄的（）內(nèi)加入適量的氫氣，能夠降低刻蝕的速率。

A.氣體
B.等離子體
C.固體
D.液體

單項選擇題

在刻蝕（）過程中假如我們在CF₅的等離子體內(nèi)加入適量的氧氣，能夠提高刻蝕的速率。

A.銅
B.鋁
C.金
D.二氧化硅