單項(xiàng)選擇題在刻蝕（）過程中假如我們?cè)贑F5的等離子體內(nèi)加入適量的氧氣，能夠提高刻蝕的速率。
A.銅
B.鋁
C.金
D.二氧化硅
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.多項(xiàng)選擇題下列物質(zhì)的等離子體適合用以刻蝕鋁合金中硅的有（）。
A.CF4
B.BCl3
C.Cl2
D.F2
E.CHF3
2.單項(xiàng)選擇題為了避免（）在經(jīng)過氯化物等離子體刻蝕之后的殘留物使其發(fā)生腐蝕，必須在刻蝕完畢之后再增加一道工序來除去這些表面殘留物。
A.多晶硅
B.單晶硅
C.鋁硅銅合金
D.銅
3.單項(xiàng)選擇題銅與氯形成的化合物揮發(fā)能力不好，因而銅的刻蝕無法以化學(xué)反應(yīng)來進(jìn)行，而必須施以（）。
A.等離子體刻蝕
B.反應(yīng)離子刻蝕
C.濕法刻蝕
D.濺射刻蝕
4.單項(xiàng)選擇題濺鍍法，因?yàn)槠潆A梯覆蓋的能力不良，很容易造成因填縫不完全所留下的（）。
A.鳥嘴
B.空洞
C.裂痕
D.位錯(cuò)
5.單項(xiàng)選擇題不可以對(duì)SiO2進(jìn)行干法刻蝕所使用的氣體是（）。
A.CHF3
B.C2F6
C.C3F8
D.HF
最新試題
假設(shè)光刻膠的厚度是2000埃，二氧化硅的厚度為4000塊，如果要求經(jīng)過30秒的刻蝕后，厚度變?yōu)?400埃，那么這個(gè)過程中刻蝕速率是（）埃/分鐘。
題型：單項(xiàng)選擇題
傳統(tǒng)的平坦化技術(shù)有（）
題型：多項(xiàng)選擇題
光刻膠對(duì)人部分可見光敏感，但對(duì)（）光不敏感。
題型：單項(xiàng)選擇題
最常用的砷化鎵的濕法刻蝕腐蝕液包括（）
題型：多項(xiàng)選擇題
利用高溫驅(qū)動(dòng)雜質(zhì)滲透進(jìn)半導(dǎo)體內(nèi)，此工序采用的設(shè)備是（）
題型：單項(xiàng)選擇題
調(diào)試和維修電路時(shí)排除故障的一般程序和方法是怎樣的？
題型：問答題
下列哪些是進(jìn)行光刻前的預(yù)處理的步驟？（）
題型：多項(xiàng)選擇題
離子注入機(jī)掃描系統(tǒng)中，采用的掃描方式有（）
題型：多項(xiàng)選擇題
兼具有各向異性刻蝕的優(yōu)點(diǎn)，又有可接受的選擇比的刻蝕方法是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
環(huán)境溫度的變化可影響硅片的涂膠均勻性，通常將環(huán)境溫度設(shè)定于（）。
題型：單項(xiàng)選擇題