單項(xiàng)選擇題在空位擴(kuò)散中，如果遷移到空位的原子是基質(zhì)原子，擴(kuò)散屬于（）。
A.推擠擴(kuò)散
B.雜質(zhì)擴(kuò)散
C.填隙擴(kuò)散
D.自擴(kuò)散
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1.單項(xiàng)選擇題固體中的擴(kuò)散模型主要有填隙機(jī)制和（）。
A.自擴(kuò)散機(jī)制
B.雜質(zhì)擴(kuò)散機(jī)制
C.空位機(jī)制
D.菲克擴(kuò)散方程機(jī)制
2.單項(xiàng)選擇題對于濃度覆蓋很寬的雜質(zhì)原子，可以采用（）方法引入到硅片中。
A.離子注入
B.濺射
C.淀積
D.擴(kuò)散
3.單項(xiàng)選擇題擴(kuò)散工藝現(xiàn)在廣泛應(yīng)用于制作（）。
A.晶振
B.電容
C.電感
D.PN結(jié)
4.多項(xiàng)選擇題擴(kuò)散工藝在現(xiàn)在集成電路工藝中仍然是是一項(xiàng)重要的集成電路工藝，現(xiàn)在主要被用來制作（）。
A.埋層
B.外延
C.PN結(jié)
D.擴(kuò)散電阻
E.隔離區(qū)
5.多項(xiàng)選擇題擴(kuò)散工藝使雜質(zhì)由半導(dǎo)體晶片表面向內(nèi)部擴(kuò)散，改變了晶片（），所以晶片才能被人們所使用。
A.內(nèi)部的雜質(zhì)分布
B.表面的雜質(zhì)分布
C.整個晶體的雜質(zhì)分布
D.內(nèi)部的導(dǎo)電類型
E.表面的導(dǎo)電類型
最新試題
分結(jié)深是重要的結(jié)構(gòu)參數(shù)，在檢驗(yàn)時發(fā)現(xiàn)超淺結(jié)注入時，判斷其造成原因有（）
題型：多項(xiàng)選擇題
鋁的電遷移可能導(dǎo)致的結(jié)果是（）
題型：多項(xiàng)選擇題
以下是離子注入過程中的主要參數(shù)的是（）
題型：多項(xiàng)選擇題
回態(tài)源擴(kuò)散的雜質(zhì)源有（）
題型：多項(xiàng)選擇題
說明功能檢測工裝的制作原理？
題型：問答題
離子注入機(jī)掃描系統(tǒng)中，采用的掃描方式有（）
題型：多項(xiàng)選擇題
當(dāng)需要刻蝕的圖形尺寸大于3um時，一般使用（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
根據(jù)曝光模式，光制機(jī)的種類分為（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
刻蝕的過程中，對刻蝕的要求是（）
題型：多項(xiàng)選擇題
金屬薄膜制備中常見的濺射方式有（）
題型：多項(xiàng)選擇題