單項(xiàng)選擇題固體中的擴(kuò)散模型主要有填隙機(jī)制和（）。
A.自擴(kuò)散機(jī)制
B.雜質(zhì)擴(kuò)散機(jī)制
C.空位機(jī)制
D.菲克擴(kuò)散方程機(jī)制
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1.單項(xiàng)選擇題對(duì)于濃度覆蓋很寬的雜質(zhì)原子，可以采用（）方法引入到硅片中。
A.離子注入
B.濺射
C.淀積
D.擴(kuò)散
2.單項(xiàng)選擇題擴(kuò)散工藝現(xiàn)在廣泛應(yīng)用于制作（）。
A.晶振
B.電容
C.電感
D.PN結(jié)
3.多項(xiàng)選擇題擴(kuò)散工藝在現(xiàn)在集成電路工藝中仍然是是一項(xiàng)重要的集成電路工藝，現(xiàn)在主要被用來(lái)制作（）。
A.埋層
B.外延
C.PN結(jié)
D.擴(kuò)散電阻
E.隔離區(qū)
4.多項(xiàng)選擇題擴(kuò)散工藝使雜質(zhì)由半導(dǎo)體晶片表面向內(nèi)部擴(kuò)散，改變了晶片（），所以晶片才能被人們所使用。
A.內(nèi)部的雜質(zhì)分布
B.表面的雜質(zhì)分布
C.整個(gè)晶體的雜質(zhì)分布
D.內(nèi)部的導(dǎo)電類型
E.表面的導(dǎo)電類型
5.多項(xiàng)選擇題二氧化硅薄膜厚度的測(cè)量方法有（）。
A.比色法
B.雙光干涉法
C.橢圓偏振光法
D.腐蝕法
E.電容-電壓法
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