多項(xiàng)選擇題解決氧化層中的鈉離子沾污的方法有（）。
A.加強(qiáng)工藝操作
B.加強(qiáng)人體和環(huán)境衛(wèi)生
C.使用高純化學(xué)試劑、高純水和超凈設(shè)備
D.采用HCl氧化工藝
E.硅片清洗后，要充分烘干，表面無水跡
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1.多項(xiàng)選擇題二氧化硅層中的鈉離子可能來源于（）。
A.玻璃器皿
B.高溫器材
C.人體沾污
D.化學(xué)試劑
E.去離子水
2.單項(xiàng)選擇題鈉、鉀等大離子在二氧化硅結(jié)構(gòu)中是（）雜質(zhì)。
A.替位式
B.間隙式
C.施主
D.可能是替位式也可能是間隙式
3.單項(xiàng)選擇題硅-二氧化硅系統(tǒng)中含有的最主要而對(duì)器件穩(wěn)定性影響最大的離子是（）。
A.鈉
B.鉀
C.氫
D.硼
4.單項(xiàng)選擇題二氧化硅生長過程中，當(dāng)分凝系數(shù)小于1時(shí)，會(huì)使二氧化硅-硅界面處硅一側(cè)的雜質(zhì)濃度（）。
A.降低
B.增加
C.不變
D.先降低后增加
5.單項(xiàng)選擇題表示雜質(zhì)在硅-二氧化硅界面處重新分布的性質(zhì)和程度，習(xí)慣上常用（）。
A.分凝度
B.固溶度
C.分凝系數(shù)
D.擴(kuò)散系數(shù)
最新試題
光刻膠對(duì)人部分可見光敏感，但對(duì)（）光不敏感。
題型：單項(xiàng)選擇題
分結(jié)深是重要的結(jié)構(gòu)參數(shù)，在檢驗(yàn)時(shí)發(fā)現(xiàn)超淺結(jié)注入時(shí)，判斷其造成原因有（）
題型：多項(xiàng)選擇題
金屬薄膜制備中常見的濺射方式有（）
題型：多項(xiàng)選擇題
兼具有各向異性刻蝕的優(yōu)點(diǎn)，又有可接受的選擇比的刻蝕方法是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
堅(jiān)膜烘焙在加熱平板上進(jìn)行，溫度控制在（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
解決金屬鋁與襯底之間肖特基接觸的方法有（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
在離子注入完成后，檢驗(yàn)到硅片表面有顆粒污染嚴(yán)重的情況，該情況引起的主要問題有（）
題型：多項(xiàng)選擇題
下列可能造成離子源沾污的因素是（）
題型：多項(xiàng)選擇題
通常鉭、鈷、鎳等難溶金屬應(yīng)用于（）
題型：單項(xiàng)選擇題
電子束蒸發(fā)中有一個(gè)特殊的部件是（）
題型：單項(xiàng)選擇題