單項(xiàng)選擇題二氧化硅生長(zhǎng)過(guò)程中，當(dāng)分凝系數(shù)小于1時(shí)，會(huì)使二氧化硅-硅界面處硅一側(cè)的雜質(zhì)濃度（）。

A.降低
B.增加
C.不變
D.先降低后增加


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1.單項(xiàng)選擇題表示雜質(zhì)在硅-二氧化硅界面處重新分布的性質(zhì)和程度，習(xí)慣上常用（）。

A.分凝度
B.固溶度
C.分凝系數(shù)
D.擴(kuò)散系數(shù)

2.多項(xiàng)選擇題（）的方法有利于減少熱預(yù)算。

A.高壓氧化
B.濕氧氧化
C.摻氯氧化
D.氫氧合成氧化
E.等離子增強(qiáng)氧化

3.單項(xiàng)選擇題當(dāng)熱氧化的最初階段，（）為限制反應(yīng)速率的主要原因。

A.溫度
B.硅-二氧化硅界面處的化學(xué)反應(yīng)
C.氧的擴(kuò)散速率
D.壓力

4.單項(xiàng)選擇題當(dāng)二氧化硅膜很薄時(shí)，膜厚與時(shí)間（）。

A.t2成正比
B.t2成反比
C.t成正比
D.t成反比

5.多項(xiàng)選擇題干氧氧化法具備以下一系列的優(yōu)點(diǎn)（）。

A.生長(zhǎng)的二氧化硅薄膜均勻性好
B.生長(zhǎng)的二氧化硅干燥
C.生長(zhǎng)的二氧化硅結(jié)構(gòu)致密
D.生長(zhǎng)的二氧化硅是很理想的鈍化膜
E.生長(zhǎng)的二氧化硅掩蔽能力強(qiáng)