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單項(xiàng)選擇題

二氧化硅生長(zhǎng)過(guò)程中，當(dāng)分凝系數(shù)小于1時(shí)，會(huì)使二氧化硅-硅界面處硅一側(cè)的雜質(zhì)濃度（）。

A.降低
B.增加
C.不變
D.先降低后增加

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單項(xiàng)選擇題

表示雜質(zhì)在硅-二氧化硅界面處重新分布的性質(zhì)和程度，習(xí)慣上常用（）。

A.分凝度
B.固溶度
C.分凝系數(shù)
D.擴(kuò)散系數(shù)

多項(xiàng)選擇題

（）的方法有利于減少熱預(yù)算。

A.高壓氧化
B.濕氧氧化
C.摻氯氧化
D.氫氧合成氧化
E.等離子增強(qiáng)氧化

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