單項選擇題硅-二氧化硅系統(tǒng)中含有的最主要而對器件穩(wěn)定性影響最大的離子是（）。
A.鈉
B.鉀
C.氫
D.硼
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1.單項選擇題二氧化硅生長過程中，當分凝系數(shù)小于1時，會使二氧化硅-硅界面處硅一側(cè)的雜質(zhì)濃度（）。
A.降低
B.增加
C.不變
D.先降低后增加
2.單項選擇題表示雜質(zhì)在硅-二氧化硅界面處重新分布的性質(zhì)和程度，習慣上常用（）。
A.分凝度
B.固溶度
C.分凝系數(shù)
D.擴散系數(shù)
3.多項選擇題（）的方法有利于減少熱預算。
A.高壓氧化
B.濕氧氧化
C.摻氯氧化
D.氫氧合成氧化
E.等離子增強氧化
4.單項選擇題當熱氧化的最初階段，（）為限制反應速率的主要原因。
A.溫度
B.硅-二氧化硅界面處的化學反應
C.氧的擴散速率
D.壓力
5.單項選擇題當二氧化硅膜很薄時，膜厚與時間（）。
A.t2成正比
B.t2成反比
C.t成正比
D.t成反比
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