A.應(yīng)用層
B.網(wǎng)絡(luò)層
C.物理層
D.傳輸層
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A.離子計(jì)
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A.擴(kuò)散泵
B.誰(shuí)循環(huán)泵
C.干式真空泵
D.路茲泵
A.點(diǎn)缺陷
B.線缺陷
C.面缺陷
D.缺失的點(diǎn)
A.分力之和大于簡(jiǎn)單相加的結(jié)果
B.分力之和等于簡(jiǎn)單相加
C.共享開(kāi)發(fā)工具、共享信息
D.共同分擔(dān)著開(kāi)發(fā)失敗的風(fēng)險(xiǎn)
A.獲得社會(huì)的好評(píng)
B.盡社會(huì)義務(wù)
C.不要回報(bào)的付出
D.為人民服務(wù)
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最新試題
刻蝕氮化硅薄膜時(shí),可以用加熱的磷酸進(jìn)行刻蝕,此時(shí)的溫度一般設(shè)置在()
以下屬于刻蝕環(huán)節(jié)質(zhì)量要求的是()
一般情況下,刻蝕完成后需要進(jìn)行的操作是()
兼具有各向異性刻蝕的優(yōu)點(diǎn),又有可接受的選擇比的刻蝕方法是()。
試說(shuō)明ICT測(cè)試電阻器阻值的原理?為什么要加隔離點(diǎn)?
以下是離子注入過(guò)程中的主要參數(shù)的是()
回態(tài)源擴(kuò)散的雜質(zhì)源有()
刻蝕的過(guò)程中,對(duì)刻蝕的要求是()
通過(guò)分析刻蝕前后刻蝕腔內(nèi)的成分來(lái)判斷是否達(dá)到終點(diǎn)的終點(diǎn)檢測(cè)方法是()
下列哪些是進(jìn)行光刻前的預(yù)處理的步驟?()