集成電路技術(shù)綜合練習章節(jié)練習(2019.04.21)
來源：考試資料網(wǎng)
參考答案：由兩個PN結(jié)和一個MOS電容組成的。
基本的參數(shù)是Lmin、Wmin和toxL：MOS工藝的特征尺寸（feat... 參考答案：CMOS靜態(tài)邏輯門的功耗包括靜態(tài)功耗和動態(tài)功耗。靜態(tài)功耗幾乎為0。但對于深亞微米器件，存在泄漏電流引起的功耗，此泄漏電流... 參考答案：采用晶體管進行適當?shù)倪B接并使其工作在一定的狀態(tài)，利用它的直流導通電阻和交流電阻作為電路中的電阻元件使用
雙極性... 參考答案：
2單匝線圈和圓形、方形或其他螺旋形多匝線圈
參考答案：
因為In原子的晶格常量比Ga原子的大，因此GaInAs與GaAs或AlGaAs層之間存在著晶格不匹配的現(xiàn)象
參考答案：用等離子體對薄膜線條進行刻蝕的一種新技術(shù)。
分為等離子體刻蝕、反應離子刻蝕RIE、磁增強反應離子刻蝕、高密度等... 參考答案：
異質(zhì)結(jié)雙極性晶體管的發(fā)射極效率主要由禁帶寬度差決定，幾乎不受摻雜比的限制
