問答題

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答案:

用gm衡量MOS器件的增益

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答案:

夾斷、線性、飽和

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答案:

源漏之間的距離、溝道寬度、開啟電壓、柵絕緣氧化層的厚度、柵絕緣層的介電常數(shù)、載流子的遷移率

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