芯片粘接的工藝過程包括（）。

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

下面哪道工序主要是針對(duì)晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）

金屬化中可選用的金屬材料有（）。

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

互連工藝中AL的制備可選用（）。

三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。

常壓的硅外延方法有（）。