填空題在硅片上熱氧化0.5μm厚的氧化層時(shí),硅片增厚了()μm。
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
3.多項(xiàng)選擇題關(guān)于鋁膜下列哪種說法正確?()
A.耐腐蝕性好
B.與硅接觸可能出現(xiàn)尖楔現(xiàn)象
C.抗電遷移性差
D.穩(wěn)定性好
4.多項(xiàng)選擇題
看圖判斷,下列哪種描述正確?()
A.圖(b)是注入的低能離子
B.圖(b)是注入的高能離子
C.圖(a)是注入的低能離子
D.圖(a)是注入的高能離子
5.多項(xiàng)選擇題擴(kuò)散系數(shù)是表征擴(kuò)散快慢的參數(shù),它相當(dāng)于單位濃度梯度時(shí)的擴(kuò)散通量,所以它()
A.單位為m2/s
B.有單位
C.無單位
D.單位為m/s
最新試題
進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項(xiàng)?()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
常壓的硅外延方法有()。
題型:多項(xiàng)選擇題
下面哪道工序主要是針對(duì)晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查,是否有出現(xiàn)廢品?()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
如下哪個(gè)選項(xiàng)不是半導(dǎo)體器件制備過程中的主要污染物?()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
刻蝕過程中聚合物形成的來源有()。
題型:多項(xiàng)選擇題
封裝工藝中,銀漿固化的溫度為()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
金屬化中可選用的金屬材料有()。
題型:多項(xiàng)選擇題
硅暴露在空氣中,在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層,厚度約為()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移?()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題