光刻工藝的特點(diǎn)包括（）。

注入損傷與注入離子的以下哪個(gè)參數(shù)無關(guān)？（）

下面哪個(gè)選項(xiàng)不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）

化學(xué)機(jī)械拋光液的主要成分不包括的是哪個(gè)？（）

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是（）。

摻雜后，退火的目的是（）。