如下哪個選項不是半導(dǎo)體器件制備過程中的主要污染物？（）

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項？（）

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。

進行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

光刻工藝對準誤差包括（）。

封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。