常壓的硅外延方法有（）。

目前制備SOI材料的主流技術有幾種？（）

摻雜后退火時間一般在（）。

當許多損傷區(qū)連在一起時就會形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。

三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

刻蝕工藝可以和以下哪個工藝結合來實現(xiàn)圖形的轉移？（）

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

摻雜后，退火的目的是（）。

光刻工藝對準誤差包括（）。