當許多損傷區(qū)連在一起時就會形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。

如下哪個選項不是半導體器件制備過程中的主要污染物？（）

下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）

注入損傷與注入離子的以下哪個參數(shù)無關？（）

厚膜電阻的成分，一是導體顆粒，二是（）。

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

下面哪些元素屬于半徑較小的雜質原子？（）

芯片粘接的工藝過程包括（）。

光刻工藝的特點包括（）。

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項？（）