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問答題
【簡(jiǎn)答題】在VLSI中,為什么要采用Cu互連及多層金屬化技術(shù)?
答案:
因?yàn)镃u的互連線電阻率低,介質(zhì)層介電常數(shù)小。
多層互連對(duì)VLSI的意義:1提高集成度;2降低互連延遲3降低成本
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【簡(jiǎn)答題】什么是分辨率?如何提高分辨率?
答案:
(1)分辨率(resolution)就是屏幕圖像的精密度,是指顯示器所能顯示的像素的多少。由于屏幕上的點(diǎn)、線和面都是由像...
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【簡(jiǎn)答題】簡(jiǎn)要說明正膠和負(fù)膠的關(guān)光刻原理與特性。
答案:
原理:臨時(shí)性地涂覆在硅片表面,通過曝光轉(zhuǎn)移設(shè)計(jì)圖形到光刻膠上。
負(fù)膠特性:
1曝光后不可溶解
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【簡(jiǎn)答題】為什么說光刻是IC制造中最重要的工藝?光刻的三個(gè)要素是什么?
答案:
因?yàn)楣饪淘贗C制造中
①占芯片制造時(shí)間的40 to 50%
②占芯片制造成本的1...
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【簡(jiǎn)答題】簡(jiǎn)述PECVD技術(shù)的工藝原理、工藝特征及工藝應(yīng)用。
答案:
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【簡(jiǎn)答題】在雙極集成電路和MOS集成電路工藝中,為什么都要用外延層?
答案:
在雙極集成電路工藝中,采用高阻的外延層可提高集電結(jié)的擊穿電壓,而其低阻的襯底(或埋層)可降低集電極的串聯(lián)電阻。在MOS集...
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【簡(jiǎn)答題】試對(duì)比分析擴(kuò)散工藝和離子注入工藝的特征和特點(diǎn)。
答案:
擴(kuò)散是高溫工藝,需要SiO
2
這樣的耐高溫硬掩膜,其擴(kuò)散形成的結(jié)深較深。擴(kuò)散是各向同性的,因此有較大...
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【簡(jiǎn)答題】什么是離子注入的溝道效應(yīng)?消除溝道效應(yīng)的途徑有哪些?
答案:
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【簡(jiǎn)答題】請(qǐng)闡述擴(kuò)散的局限性。
答案:
與離子注入工藝相比,擴(kuò)散工藝的局限性在于:
1)擴(kuò)散是各向同性的,其掩膜下方會(huì)有嚴(yán)重的橫向擴(kuò)散效應(yīng),因而不適于...
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【簡(jiǎn)答題】實(shí)際氧化工藝為什么要采用先干氧、再濕氧、最后再干氧的氧化方法?
答案:
干氧的氧化速率最慢,但其氧化層質(zhì)量最好。濕氧的氧化速率快,但其氧化層質(zhì)量不如干氧工藝。實(shí)際氧化工藝多采用干氧-濕氧-干氧...
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【簡(jiǎn)答題】為什么氧化層厚度越厚,熱氧化生長的速率越慢?
答案:
根據(jù)熱氧化的生長機(jī)理,氧化劑(O
2
或H
2
O)若要與襯底Si反應(yīng)生成SiO
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