問(wèn)答題寫出計(jì)算焦深的公試。
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
2.問(wèn)答題如果光波長(zhǎng)減小分辨率會(huì)有什么變化，如果NA增加了呢？
3.問(wèn)答題列出并解釋硅片表面反射引起的最主要的兩個(gè)問(wèn)題。
4.問(wèn)答題陳述分辨率公式。影響光刻分辨率的三個(gè)參數(shù)？
5.問(wèn)答題什么是數(shù)值孔徑（NA），陳述它的公式，包括近似公式？
最新試題
當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時(shí)就會(huì)形成連續(xù)的非晶層，開(kāi)始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
刻蝕過(guò)程中聚合物形成的來(lái)源有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
光刻工藝對(duì)準(zhǔn)誤差包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
鳥嘴效應(yīng)造成的不良影響有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
金屬化中可選用的金屬材料有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
芯片粘接的工藝過(guò)程包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來(lái)實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
常壓的硅外延方法有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題