刻蝕工藝可以和以下哪個工藝結合來實現(xiàn)圖形的轉移？（）

厚膜電阻的成分，一是導體顆粒，二是（）。

刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。

多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項？（）

新的平坦化方法有哪幾個？（）

金屬化中可選用的金屬材料有（）。

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

CMP的設備構成包括（）。