下面哪個選項不是集成電路工藝用化學氣體質(zhì)量的指標？（）

金屬化中可選用的金屬材料有（）。

進行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

注入損傷與注入離子的以下哪個參數(shù)無關？（）

摻雜后退火時間一般在（）。

當許多損傷區(qū)連在一起時就會形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。

鳥嘴效應造成的不良影響有（）。

常壓的硅外延方法有（）。

光刻工藝對準誤差包括（）。

刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。