問(wèn)答題解釋晶體晶向?qū)ρ趸锷L(zhǎng)的影響。
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1.問(wèn)答題摻雜對(duì)氧化物生長(zhǎng)的影響是什么？
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3.問(wèn)答題列出Si/Si02 界面處的4種氧化物電荷。
4.問(wèn)答題如果熱生長(zhǎng)氧化層厚度為2000A，那么Si消耗多少？
5.問(wèn)答題列出熱氧化物的硅片制造的六種用途，并給出各種用途的目的。
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摻雜后，退火的目的是（）。
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IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。
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光刻工藝對(duì)準(zhǔn)誤差包括（）。
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鳥(niǎo)嘴效應(yīng)造成的不良影響有（）。
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金屬化中可選用的金屬材料有（）。
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三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無(wú)各種廢品。
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注入損傷與注入離子的以下哪個(gè)參數(shù)無(wú)關(guān)？（）
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化學(xué)機(jī)械拋光液的主要成分不包括的是哪個(gè)？（）
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影響封裝芯片特性的溫度有（）。
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