碳納米管場效應晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。

進行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

厚膜電阻的成分，一是導體顆粒，二是（）。

刻蝕工藝可以和以下哪個工藝結(jié)合來實現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。

常壓的硅外延方法有（）。

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

鳥嘴效應造成的不良影響有（）。

注入損傷與注入離子的以下哪個參數(shù)無關(guān)？（）

消除鳥嘴效應的方法有（）。