刻蝕過(guò)程中聚合物形成的來(lái)源有（）。

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

光刻工藝的特點(diǎn)包括（）。

進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是（）。

厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。

CE定律發(fā)展面臨的問(wèn)題包括（）。

刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來(lái)實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項(xiàng)？（）

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線(xiàn)焊接之后有無(wú)各種廢品。