濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

新的平坦化方法有哪幾個(gè)？（）

CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。

光刻工藝的特點(diǎn)包括（）。

碳納米管場(chǎng)效應(yīng)晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢(shì)之一。

如下哪個(gè)選項(xiàng)不是半導(dǎo)體器件制備過程中的主要污染物？（）

刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。

常壓的硅外延方法有（）。

多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。