問(wèn)答題簡(jiǎn)述有光刻膠覆蓋硅片的三個(gè)生產(chǎn)區(qū)域。
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最新試題
厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
互連工藝中AL的制備可選用（）。
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目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）
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CE定律發(fā)展面臨的問(wèn)題包括（）。
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摻雜后，退火的目的是（）。
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常壓的硅外延方法有（）。
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化學(xué)機(jī)械拋光液的主要成分不包括的是哪個(gè)？（）
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硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
芯片粘接的工藝過(guò)程包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題