IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。

進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是（）。

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項(xiàng)？（）

注入損傷與注入離子的以下哪個(gè)參數(shù)無關(guān)？（）

光刻工藝的特點(diǎn)包括（）。

目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）

新的平坦化方法有哪幾個(gè)？（）

化學(xué)機(jī)械拋光液的主要成分不包括的是哪個(gè)？（）