摻雜后，退火的目的是（）。

三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。

常壓的硅外延方法有（）。

鳥嘴效應(yīng)造成的不良影響有（）。

碳納米管場效應(yīng)晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。

光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

光刻工藝對準(zhǔn)誤差包括（）。

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

光刻工藝的特點包括（）。