芯片粘接的工藝過程包括（）。

消除鳥嘴效應(yīng)的方法有（）。

摻雜后，退火的目的是（）。

互連工藝中AL的制備可選用（）。

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是（）。

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。

影響封裝芯片特性的溫度有（）。