晶體的特點是在各不同晶向上的物理性能、機械性能、化學性能都相同。（）

片狀源擴散具有設(shè)備簡單，操作方便，晶片缺陷少，均勻性、重復性和表面質(zhì)量都較好，適于批量生產(chǎn)，應用越來越普遍。（）

邏輯電路只能處理“非O即1“這兩個值。（）

厚膜元件材料的粉末顆粒越小、表面形狀謦復雜，比表面積就越大，則表面自由能也就越高，對燒結(jié)越有利。（）

離子源是產(chǎn)生離子的裝置。（）

厚膜漿料屬于牛頓流體，因此其粘度屬于正常黏度。（）

位錯就是由范性形變造成的，它可以使晶體內(nèi)的一原子或離子脫離規(guī)則的周期排列而位移一段距離，位移區(qū)與非位移區(qū)交界處必有原子的錯位，這樣產(chǎn)生線缺陷稱為位錯。（）

低溫淀積二氧化硅生長溫度低、制作方便，但膜不夠致密，耐潮性和抗離子沾污能力較差。（）

硅MOSFET和硅JFET結(jié)構(gòu)相同。（）

退火處理能使金絲和硅鋁絲的抗斷強度下降。（）