厚膜元件材料的粉末顆粒越小、表面形狀謦復(fù)雜，比表面積就越大，則表面自由能也就越高，對燒結(jié)越有利。（）

半導(dǎo)體芯片制造工藝對水質(zhì)的要求一般.（）

遷移率是反映半導(dǎo)體中載流子導(dǎo)電能力的重要參數(shù)。摻雜半導(dǎo)體的電導(dǎo)率一方面取決于摻雜的濃度，另一方面取決于遷移率的大小。同樣的摻雜濃度，載流子的遷移率越大，材料的電導(dǎo)率就越高。（）

退火處理能使金絲和硅鋁絲的抗斷強度下降。（）

低溫淀積二氧化硅生長溫度低、制作方便，但膜不夠致密，耐潮性和抗離子沾污能力較差。（）

設(shè)備、試劑、氣瓶等所有物品不需經(jīng)嚴(yán)格清潔處理，可直接進入凈化區(qū)。（）

點缺陷，如空位、間隙原子、反位缺陷、替位缺陷，和由它們構(gòu)成的復(fù)合體。（）

厚膜漿料屬于牛頓流體，因此其粘度屬于正常黏度。（）

拋光片的電學(xué)參數(shù)包括電阻率，載流子濃度，遷移率，直徑、厚度、主參考面等。（）

干法腐蝕清潔、干凈、無脫膠現(xiàn)象、圖形精度和分辨率高。（）