低溫淀積二氧化硅生長溫度低、制作方便，但膜不夠致密，耐潮性和抗離子沾污能力較差。（）

遷移率是反映半導體中載流子導電能力的重要參數(shù)。摻雜半導體的電導率一方面取決于摻雜的濃度，另一方面取決于遷移率的大小。同樣的摻雜濃度，載流子的遷移率越大，材料的電導率就越高。（）

門陣列的基本結(jié)構形式有兩種：一種是晶體管陣列，一種是門陣列（）

厚膜元件材料的粉末顆粒越小、表面形狀謦復雜，比表面積就越大，則表面自由能也就越高，對燒結(jié)越有利。（）

干法腐蝕清潔、干凈、無脫膠現(xiàn)象、圖形精度和分辨率高。（）

拋光片的電學參數(shù)包括電阻率，載流子濃度，遷移率，直徑、厚度、主參考面等。（）

在半導體集成電路中，各元器件都是制作在同一晶片內(nèi)。因此要使它們起著預定的作用而不互相影響，就必須使它們在電性能上相互絕緣。（）

硅MOSFET和硅JFET結(jié)構相同。（）

集成電容主要有哪幾種結(jié)構？

絲網(wǎng)印刷膜的厚度不隨著刮板移動速度的增加而減小。（）