片狀源擴散具有設(shè)備簡單，操作方便，晶片缺陷少，均勻性、重復(fù)性和表面質(zhì)量都較好，適于批量生產(chǎn)，應(yīng)用越來越普遍。（）

單晶是原子或離子沿著三個不同的方向按一定的周期有規(guī)則的排列，并沿一致的晶體學(xué)取向所堆垛起來的遠程有序的晶體。（）

干法腐蝕清潔、干凈、無脫膠現(xiàn)象、圖形精度和分辨率高。（）

退火處理能使金絲和硅鋁絲的抗斷強度下降。（）

集成電容主要有哪幾種結(jié)構(gòu)？

光刻工藝要求掩膜版圖形黑白區(qū)域之間的反差要低。（）

設(shè)置的非破壞性鍵合拉力通常為最小鍵合強度的50％。（）

敘述H2還原SiCl4外延的原理，寫出化學(xué)方程式。

點缺陷，如空位、間隙原子、反位缺陷、替位缺陷，和由它們構(gòu)成的復(fù)合體。（）

遷移率是反映半導(dǎo)體中載流子導(dǎo)電能力的重要參數(shù)。摻雜半導(dǎo)體的電導(dǎo)率一方面取決于摻雜的濃度，另一方面取決于遷移率的大小。同樣的摻雜濃度，載流子的遷移率越大，材料的電導(dǎo)率就越高。（）