本征光電導(dǎo)

XPS只能檢測(cè)元素種類，無(wú)法標(biāo)定元素含量。

光電導(dǎo)效應(yīng)

有A和B兩種單質(zhì)晶體，我們知道A的晶格常數(shù)是5Å，帶隙是1.2eV，B的晶格常數(shù)是4Å，其帶隙有可能是（）eV

激活劑

等離子體

內(nèi)光電效應(yīng)

半導(dǎo)體鍍膜通常在真空中進(jìn)行是為了減少雜質(zhì)沉積的干擾。

GaAs晶體是（）結(jié)構(gòu)

MBE只能用于III-V族化合物的生長(zhǎng)。