一種新的業(yè)務(wù)模式，使IDM廠商外包前沿的設(shè)計(jì)，同時(shí)保持工藝技術(shù)開發(fā)。
簡稱TI，德州儀器，全球領(lǐng)先的數(shù)字信號處理與模擬技術(shù)半導(dǎo)體供應(yīng)商?？偛课挥诿绹每怂_斯州的達(dá)拉斯。
最新試題
光生伏特效應(yīng)
MBE只能用于III-V族化合物的生長。
內(nèi)光電效應(yīng)
本征吸收
敏化劑
等離子體
硅中常見的B摻雜和As摻雜都是深能級摻雜。
MOSFET開關(guān)的基本工作原理是通過（）極電壓來控制（）極和（）極之間的導(dǎo)電溝道的通斷。
提高光刻最小線寬可以通過提升介質(zhì)的介電常數(shù)實(shí)現(xiàn)。
猝滅劑