提高光刻最小線寬可以通過提升介質(zhì)的介電常數(shù)實現(xiàn)。

半導(dǎo)體鍍膜通常在真空中進(jìn)行是為了減少雜質(zhì)沉積的干擾。

硅中常見的B摻雜和As摻雜都是深能級摻雜。

XPS只能檢測元素種類，無法標(biāo)定元素含量。

TEM觀測與SEM相同，對樣品厚度沒有要求。

平衡態(tài)下在pn結(jié)中p區(qū)和n區(qū)的費米能級是相等的。

GaAs晶體是（）結(jié)構(gòu)

半導(dǎo)體中的價帶空穴電流其實就是導(dǎo)帶電子電流的一種等價說法。

有A和B兩種單質(zhì)晶體，我們知道A的晶格常數(shù)是5Å，帶隙是1.2eV，B的晶格常數(shù)是4Å，其帶隙有可能是（）eV

光刻技術(shù)中的反刻工藝，通常應(yīng)用于（）的情況。