摩托羅拉?？偛吭诿绹晾Z斯州。是全球芯片制造、電子通訊的領(lǐng)導(dǎo)者。
一種新的業(yè)務(wù)模式，使IDM廠商外包前沿的設(shè)計，同時保持工藝技術(shù)開發(fā)。
簡稱TI，德州儀器，全球領(lǐng)先的數(shù)字信號處理與模擬技術(shù)半導(dǎo)體供應(yīng)商?？偛课挥诿绹每怂_斯州的達拉斯。
最新試題
陰極射線致發(fā)光
在CMOS工藝中，最為昂貴的步驟是：（）
AlAs的禁帶寬度比GaAs大，晶格常數(shù)也更大。
半導(dǎo)體鍍膜通常在真空中進行是為了減少雜質(zhì)沉積的干擾。
提高光刻最小線寬可以通過提升介質(zhì)的介電常數(shù)實現(xiàn)。
內(nèi)光電效應(yīng)
半導(dǎo)體中的價帶空穴電流其實就是導(dǎo)帶電子電流的一種等價說法。
磁滯回線
等離子體
光生伏特效應(yīng)