單項(xiàng)選擇題光刻要求晶圓片表面存在的圖案與掩膜版上的圖形對(duì)準(zhǔn),此特性指標(biāo)稱(chēng)為()。

A.套準(zhǔn)精度
B.特征尺寸
C.分辨率
D.工藝寬容度


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1.單項(xiàng)選擇題

晶圓加工的基本流程順序?yàn)椋ǎ?br/>(1)切片
(2)外形整理
(3)研磨
(4)倒角
(5)清洗
(6)拋光

A.(1)(2)(3)(4)(5)(6)
B.(2)(1)(4)(3)(6)(5)
C.(1)(2)(4)(3)(5)(6)
D.(2)(1)(3)(4)(6)(5)

2.單項(xiàng)選擇題下面哪種方式也稱(chēng)為濕法去膠?()

A.等離子去膠
B.溶劑去膠
C.氧化去膠
D.三氯乙烯去膠

3.單項(xiàng)選擇題

下圖屬于什么光刻機(jī)?()

A.接觸式光刻機(jī)
B.步進(jìn)掃描光刻機(jī)
C.分布重復(fù)光刻機(jī)
D.接近式光刻機(jī)

4.單項(xiàng)選擇題對(duì)于0.25um及以下的隔離技術(shù)采用以下()方式。

A.局部氧化隔離
B.PN結(jié)隔離
C.PN結(jié)-介質(zhì)隔離
D.淺槽隔離

5.單項(xiàng)選擇題WCVD工藝第一步是()。

A.浸潤(rùn)
B.成核
C.BULK
D.直接反應(yīng)

最新試題

常規(guī)芯片封裝生產(chǎn)過(guò)程包括粘裝和引線鍵合兩個(gè)工序,而倒裝芯片則合二為一。

題型:判斷題

下面關(guān)于PBGA器件的優(yōu)缺點(diǎn),說(shuō)法錯(cuò)誤的是()。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

QFP的結(jié)構(gòu)形式因帶有引線框(L/F),對(duì)設(shè)定的電性能無(wú)法調(diào)整,而B(niǎo)GA可以通過(guò)芯片片基結(jié)構(gòu)的變更,得到所需的電性能。

題型:判斷題

通常芯片上的引出端焊盤(pán)是排列在管芯片附近的方形()。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

收縮型四邊扁平封裝的引腳中心距離比普通的四邊扁平要大,所以在封裝體的邊緣可以容納更多的引腳個(gè)數(shù)。

題型:判斷題

按照芯片組裝方式的不同,關(guān)于SiP的分類(lèi),說(shuō)法錯(cuò)誤的是()。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

鍵合點(diǎn)根部容易發(fā)生微裂紋,原因可能是鍵合操作中機(jī)械疲勞,也可能是溫度循環(huán)導(dǎo)致熱應(yīng)力疲勞。

題型:判斷題

去毛飛邊工藝指的是將芯片多余部分進(jìn)行有效的切除。

題型:判斷題

根據(jù)焊點(diǎn)的形狀,引線鍵合有兩種形式,分別是()。

題型:多項(xiàng)選擇題

關(guān)于電子封裝基片的性質(zhì),說(shuō)法錯(cuò)誤的是()。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題