單項(xiàng)選擇題WCVD工藝第一步是（）。
A.浸潤(rùn)
B.成核
C.BULK
D.直接反應(yīng)
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1.單項(xiàng)選擇題Liner barrier阻擋金屬間擴(kuò)散作用的金屬是（）。
A.金屬Al
B.金屬鈦
C.金屬氮化鈦
D.金屬鎢
2.單項(xiàng)選擇題摻氯氧化使用的HCL是（）。
A.液態(tài)源
B.固態(tài)源
C.氣態(tài)源
3.單項(xiàng)選擇題二氧化硅中每個(gè)硅原子周圍有（）個(gè)氧原子。
A.1
B.2
C.3
D.4
4.單項(xiàng)選擇題以下哪項(xiàng)不是STI工藝氣體？（）
A.SiH4
B.O2
C.N2O
D.Ar
5.單項(xiàng)選擇題CMP清洗部分的順序是（）。
A.兆聲清洗（Meg）-SRD（甩干）-Brush（刷洗）
B.兆聲清洗（Meg）-Brush（刷洗）-SRD（甩干）
C.Brush（刷洗）-兆聲清洗（Meg）-SRD（甩干）
D.Brush（刷洗）-SRD（甩干）-兆聲清洗（Meg）
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塑封料的機(jī)械性能包括的模量有（）。
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鍵合工藝失效，焊盤產(chǎn)生彈坑的原因有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
WLCSP技術(shù)最根本的優(yōu)點(diǎn)是IC到PCB之間的電感很大。
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下列屬于BGAA形式的是（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
下面關(guān)于BGA的特點(diǎn)，說法錯(cuò)誤的是（）。
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引線鍵合的常用技術(shù)有（）。
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鍵合常用的劈刀形狀，下列說法正確的是（）。
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在近十年由于材料和設(shè)備的發(fā)展，同時(shí)伴隨電子產(chǎn)品功能的日益增強(qiáng)，（）再次來到大眾視線
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引線鍵合的目的是將金線鍵合在晶片、框架或基板上。
題型：判斷題
制造和封裝工藝過程中的材料性能是決定材料應(yīng)用的關(guān)鍵，制造性能主要包括（）。
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