單項(xiàng)選擇題下面哪種方式也稱為濕法去膠?()
A.等離子去膠
B.溶劑去膠
C.氧化去膠
D.三氯乙烯去膠
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.單項(xiàng)選擇題
下圖屬于什么光刻機(jī)?()
A.接觸式光刻機(jī)
B.步進(jìn)掃描光刻機(jī)
C.分布重復(fù)光刻機(jī)
D.接近式光刻機(jī)
2.單項(xiàng)選擇題對(duì)于0.25um及以下的隔離技術(shù)采用以下()方式。
A.局部氧化隔離
B.PN結(jié)隔離
C.PN結(jié)-介質(zhì)隔離
D.淺槽隔離
3.單項(xiàng)選擇題WCVD工藝第一步是()。
A.浸潤(rùn)
B.成核
C.BULK
D.直接反應(yīng)
4.單項(xiàng)選擇題Liner barrier阻擋金屬間擴(kuò)散作用的金屬是()。
A.金屬Al
B.金屬鈦
C.金屬氮化鈦
D.金屬鎢
5.單項(xiàng)選擇題摻氯氧化使用的HCL是()。
A.液態(tài)源
B.固態(tài)源
C.氣態(tài)源
最新試題
AUBM的形成可以采用()方法。
題型:多項(xiàng)選擇題
WLCSP技術(shù)最根本的優(yōu)點(diǎn)是IC到PCB之間的電感很大。
題型:判斷題
關(guān)于電子封裝基片的性質(zhì),說法錯(cuò)誤的是()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
按照芯片組裝方式的不同,關(guān)于SiP的分類,說法錯(cuò)誤的是()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
鍵合點(diǎn)根部容易發(fā)生微裂紋,原因可能是鍵合操作中機(jī)械疲勞,也可能是溫度循環(huán)導(dǎo)致熱應(yīng)力疲勞。
題型:判斷題
下列屬于BGAA形式的是()。
題型:多項(xiàng)選擇題
收縮型四邊扁平封裝的引腳中心距離比普通的四邊扁平要大,所以在封裝體的邊緣可以容納更多的引腳個(gè)數(shù)。
題型:判斷題
使用3D封裝技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)40~50倍的成品尺寸和重量的減少。
題型:判斷題
下面不屬于QFP封裝改進(jìn)品質(zhì)的是()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
在近十年由于材料和設(shè)備的發(fā)展,同時(shí)伴隨電子產(chǎn)品功能的日益增強(qiáng),()再次來到大眾視線
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題