三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項？（）

光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

摻雜后退火時間一般在（）。

刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。

多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。

摻雜后，退火的目的是（）。

如下哪個選項不是半導(dǎo)體器件制備過程中的主要污染物？（）

厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。