刻蝕工藝可以和以下哪個工藝結(jié)合來實現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。

芯片粘接的工藝過程包括（）。

CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。

目前制備SOI材料的主流技術有幾種？（）

常壓的硅外延方法有（）。

摻雜后，退火的目的是（）。

鳥嘴效應造成的不良影響有（）。

光刻工藝的設備核心是（）。

CMP的設備構成包括（）。