光刻工藝的特點(diǎn)包括（）。

光刻工藝對(duì)準(zhǔn)誤差包括（）。

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項(xiàng)？（）

三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。

進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是（）。

如下哪個(gè)選項(xiàng)不是半導(dǎo)體器件制備過程中的主要污染物？（）

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

常壓的硅外延方法有（）。

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

摻雜后，退火的目的是（）。