摻雜后退火時(shí)間一般在（）。

多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。

下面哪個(gè)選項(xiàng)不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）

光刻工藝對(duì)準(zhǔn)誤差包括（）。

刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。

三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。

光刻工藝的特點(diǎn)包括（）。

金屬化中可選用的金屬材料有（）。

化學(xué)機(jī)械拋光液的主要成分不包括的是哪個(gè)？（）

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。